收藏本站
Si2312BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.06
0.05
0.04
V GS = 1.8 V
1200
1000
800
C iss
0.03
V GS = 2.5 V
600
0.02
0.01
0.00
V GS = 4.5 V
400
200
0
C oss
C rss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 5.0 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 5.0 A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.20
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 5.0 A
0.15
1
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.10
0.05
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73235
S10-0791-Rev. D, 05-Apr-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI2315BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
SI2335DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
SI2367DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
SI2377EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V SOT-23
SI3424BDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SI3424DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
SI3433CDV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
SI3438DV-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP
相关代理商/技术参数
SI2312CDS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI2312CDS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2312DS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 -V (D-S) MOSFET
SI2312DS_05 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 -V (D-S) MOSFET
SI2312DST1 制造商:VISHAY 功能描述:MOSFET TRANSISTOR
SI2312DS-T1 功能描述:MOSFET 20V 3.77A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2312DS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.77A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2312DS-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET